半导体中非线性自由载流子响应导致的单周期太赫兹脉冲的自相位调制
材料科学
2012-08-13 v1 其他凝聚态物理
光学
摘要
我们以体n-GaAs为模型系统，展示了半导体中单周期太赫兹脉冲的自相位调制（SPM）。SPM源于太赫兹脉冲电场中自由电子的加热，导致等离子体频率的超快降低，从而强烈改变材料的太赫兹介电函数。在时域中直接观察到太赫兹SPM。在频域中，它对应于n-GaAs中强烈的频率依赖折射率非线性，发现在宽太赫兹脉冲谱内既有正也有负，零点由电子动量弛豫率决定。我们还观察到了太赫兹脉冲的非线性频谱展宽和压缩。
引用
@article{arxiv.1202.5153,
title = {Self-phase modulation of a single-cycle terahertz pulse by nonlinear free-carrier response in a semiconductor},
author = {Dmitry Turchinovich and Jørn M. Hvam and Matthias C. Hoffmann},
journal= {arXiv preprint arXiv:1202.5153},
year = {2012}
}
备注
5 pages, 6 figures