类锂离子g因子中的自能屏蔽效应

我们报道了对类锂离子基态 $g$ 因子自能屏蔽效应的研究。相对阶 $1/Z$ 的主导屏蔽贡献在结合核强度参数 $Z\alpha$ 中被全阶计算（其中 $Z$ 为核电荷数，$\alpha$ 为精细结构常数）。我们还通过推导 $\alpha^5\ln\alpha$ 阶的主导对数贡献并获得 $\alpha^5$ 与 $\alpha^6$ 贡献的近似结果，扩展了已知的 QED 屏蔽修正的 $Z\alpha$ 展开。两种方法的比较对两项计算的一致性给出了严格检验，并使我们能获得高阶屏蔽效应的改进估计。