$d$ 及 $d + is$ 超导体中电流注入的自洽理论

我们给出了连接到正常金属储层的 $d_{x^2-y^2}$ 超导薄膜在电压偏置下的稳态非线性响应结果，并允许在近界面处出现次要的 $s$ 波分量。我们的研究基于一种守恒电流的定理，该理论自洽地包含了非平衡分布函数、电荷不平衡以及序参量和标量杂质自能的电压依赖性。对于界面与接触端呈 [110] 取向的纯 $d$ 波超导体，电导包含一个零偏压峰，反映了零能界面 Andreev 束缚态的大密度。包含次要 $s$ 波配对通道时，在平衡态下，对于 $s$ 波序参量分量 $\Delta_\mathrm{s}$ 以时间反演对称性破缺组合 $d+is$ 在近界面处出现是能量有利的。Andreev 态随后在态密度中移至有限能量。在电压偏置下，我们发现接触区域中的非平衡分布导致当电压 $eV\rightarrow\Delta_\mathrm{s}$ 时 $s$ 波分量迅速被抑制至零。由此产生的谱重排和电压依赖的散射振幅导致了零偏压电导峰的显著非热展宽分裂，这是非自洽的 Landauer-Büttiker 散射方法中所未见的。