超导无限层镍氧化物两能带模型中的屏蔽效应

从无限层镍氧化物的有效二维两能带模型出发，该模型由源自 $d$ 与类 $s$ 轨道的能带构成，我们研究其在多大程度上可映射为单带 Hubbard 模型。我们确认更具巡游性的类 $s$ 能带的屏蔽是一个重要驱动因素。在无屏蔽时，一个强关联能带给出反铁磁基态。对于弱屏蔽，强关联将电子推出 $s$ 能带，使得未掺杂镍氧化物仍为具有半填充 $d$ 轨道的莫特绝缘体。该 regime 明显不同于高 $T_c$ 铜氧化物中的观测，且超导态中反而可预期具有 $s$ 波对称性的配对。相反，对于强屏蔽，$s$ 与 $d_{x^2-y^2}$ 能带均部分填充且仅有弱耦合，从而近似得到一个自掺杂的 $d$ 能带以及朝向 $d$ 波配对的趋势。尤其在强屏蔽 regime 下，当第二个 $s$ 能带也部分填充时，映射至单带模型会产生有趣的光谱权重转移。因此我们发现，取决于电子关联强度与 $s$ 能带口袋大小，单带物理与类 Kondo 晶格 regime 均从同一双轨道模型中涌现。