源自扩展电弱对称性的隐形生成模型

我们指出，更高的弱同位旋 $SU(3)_L$ 在其同位多重态中显式统一了暗物质与普通物质，其中暗物质携带守恒的暗电荷而普通物质不携带。由此得到的规范对称性为 $SU(3)_C\otimes SU(3)_L \otimes U(1)_X\otimes U(1)_G$，其中第一个因子为色群，其余部分定义了暗电弱理论，其中 $X$ 和 $G$ 决定电荷 $Q=T_3-1/\sqrt{3}T_8+X$ 与暗电荷 $D=-2/\sqrt{3}T_8+G$。该设定同时提供了恰当的隐形生成（scotogenic）中微子质量与暗物质稳定性，二者由残余暗宇称 $P_D=(-1)^D$ 保持。鉴于 $SU(3)_L$ 在极高能标破缺，我们进一步讨论了暗电荷的解释。