分子的扫描隧道显微镜:通过改变缓冲层调控导带隙中的电子输运
介观与纳米尺度物理
2024-08-02 v2 材料科学
摘要
在分子的扫描隧道显微镜中,通常引入绝缘缓冲层以减少吸附分子与基底之间的相互作用。聚焦于通过分子电子输运带隙的隧穿,我们证明缓冲层本身强烈影响隧穿电子在分子处的波函数。以吸附的酞菁铂分子为例,通过改变缓冲层的组成和厚度加以说明。我们发现,缓冲层的晶格参数尤为关键。通过将隧穿电子的波函数展开为分子轨道,我们展示了如何强烈改变不同分子轨道的相对权重,例如最高占据分子轨道与少数节面的低能分子轨道。具有显著权重的分子轨道集合对于通过隧穿电子操纵分子状态的过程(如分子发光)至关重要。因此,缓冲层的选择为操纵这些过程提供了重要工具。
引用
@article{arxiv.2404.11956,
title = {Scanning Tunneling Microscopy for Molecules: Manipulating Electron Transport through the Conduction Gap by varying Buffer Layer},
author = {Abhishek Grewal and Christopher C. Leon and Olle Gunnarsson},
journal= {arXiv preprint arXiv:2404.11956},
year = {2024}
}
备注
30 pages, 5 figures