SANCnews: 4f扇区，带电电流
高能物理 - 唯象学
2008-11-26 v1
摘要
本文描述了在SANC系统框架内实现t --> b l^+ nu_l (gamma) 这类带电电流衰变的过程。所有计算均在标准模型框架内考虑单圈电弱修正。本文的重点是数值结果的呈现。通过蒙特卡洛积分器和事例产生器生成了各种分布。对于Born贡献和硬光子贡献，给出了与CompHEP和PYTHIA程序包结果的比较。还研究了级联近似在单圈水平上的有效性。
关键词
引用
@article{arxiv.hep-ph/0703043,
title = {SANCnews: Sector 4f, Charged Current},
author = {A. Arbuzov and D. Bardin and S. Bondarenko and P. Christova and L. Kalinovskaya and G. Nanava and R. Sadykov and W. von Schlippe},
journal= {arXiv preprint arXiv:hep-ph/0703043},
year = {2008}
}
备注
13 pages, 8 figures, 9 tables; submitted to EPJC