采用基极-发射极钳位的坚固型 HBT C 类功率放大器
应用物理
2017-08-18 v1 介观与纳米尺度物理
摘要
通过在放大器输入端添加一个反并联二极管以限制基极-发射极电压的负向摆幅，提高了 HBT C 类功率放大器的坚固性。改进后的放大器在连续波（CW）工作模式下能承受 3:1 而非 2:1 的失配，在脉冲工作模式下能承受 2.5:1 而非 1.5:1 的失配。与采用发射极镇流、有源反馈或静电放电保护电路的其他方法相比，本方法实现简单，且对放大器的整体输出功率、增益或效率的影响可忽略不计。
引用
@article{arxiv.1708.05064,
title = {Rugged HBT Class-C Power Amplifiers with Base-Emitter Clamping},
author = {Xi Luo and Subrata Halder and James C. M. Hwang},
journal= {arXiv preprint arXiv:1708.05064},
year = {2017}
}