室温绝缘铁磁(Ni,Co)1+2xTi1-xO3薄膜
材料科学
2019-09-04 v2 应用物理
摘要
绝缘单轴室温铁磁体是基于自旋波的普通器件的前提条件，当代铁磁体中的障碍在于铁磁性与大导电性的耦合。我们表明，单轴TiO（ATO），Ni、Co且薄膜在室温下即为电绝缘铁磁体。ATO与钛铁矿结构的八面体网络相似，但不同的八面体填充被证明是从反铁磁态切换到铁磁态的途径。八面体可连续填充至，或在ATO结构中空出（）。在NiTiO与CoTiO钛铁矿中，分隔铁磁(Ni,Co)O层并中介铁磁层间反铁磁耦合的TiO层，可连续被(Ni,Co)O层替代，从而将ATO薄膜转变为具有丰富直接阳离子相互作用的铁磁绝缘体。
引用
@article{arxiv.1906.10974,
title = {Room-temperature insulating ferromagnetic (Ni,Co)1+2xTi1-xO3 thin films},
author = {Yukari Fujioka and Johannes Frantti and Christopher Rouleau and Alexander Puretzky and Zheng Gai and Nickolay Lavrik and Andreas Herklotz and Ilia N. Ivanov and Harry M. Meyer},
journal= {arXiv preprint arXiv:1906.10974},
year = {2019}
}