Alq3中的光导
介观与纳米尺度物理
2009-11-11 v1
摘要
通过薄膜夹层（ITO/Alq3/LiF/Al）器件中的光导测量，研究了Alq3的光电子性质。我们发现，入射光子能量大于2.75 eV时，光电流由载流子的bulk产生主导。从载流子收集测量中测得光子效率约为10%。光子效率基本独立于电场。这使得可以直接测量载流子迁移率的电场依赖性，用于定量分析这些器件中的暗正向电流。光导测量还用于获取(\mu_{0n} \tau_n)乘积，可作为材料质量的度量。对于Alq3，我们发现(\mu_{0n} \tau_n)乘积的数值在3x10^{-15} cm^2/V至8x10^{-15} cm^2/V之间（取决于样品）。在正向偏置下，高场条件下的光电流显示饱和并伴随相位移。这些效应归因于器件中的空间电荷效应。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0505437,
title = {Role of relaxation in spin Hall effect},
author = {Masaru Onoda and Naoto Nagaosa},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0505437},
year = {2009}
}
备注
5 pages, 4 figures, REVTeX