非对称 HfGe0.92Te 中抗 Ge 空位的稳健狄拉克线及可能的自旋轨道狄拉克点
材料科学
2022-10-31 v1 强关联电子
摘要
寻找具狄拉克点的新材料一直是引人入胜的研究课题。本文报道 HfGe0.92Te 单晶的生长、晶体结构与能带结构，其具有三种不同类型的狄拉克点。HfGe0.92Te 结晶于非对称四方空间群 P4/nmm（No. 129），具有约 8% 空位的方形 Ge 原子平面。尽管 Ge 位存在空位，利用角分辨光电子能谱仍观测到由易受自旋轨道耦合（SOC）影响的常规狄拉克点构成的狄拉克节线，并伴有受非对称对称性保护、对抗 SOC 与空位的稳健狄拉克线。特别地，依据我们的实验与计算，暗示了在 SOC 下由表面形成的自旋轨道狄拉克点（SDPs）的存在。观测到准二维（quasi-2D）特征并经角分辨磁电阻进一步确认。HfGe0.92Te 是探索具三种不同类型狄拉克点的奇异拓扑相或拓扑性质的优良候选，也是实现二维 SDPs 的有前景候选。
引用
@article{arxiv.2201.05833,
title = {Robust Dirac lines against Ge vacancy and possible spin-orbit Dirac points in nonsymmorphic HfGe0.92Te},
author = {L. Chen and L. Q. Zhou and Y. Zhou and C. Liu and Z. N. Guo and S. Y. Gao and W. H. Fan and J. F. Xu and Y. X. Guo and K and Liao and J. O. Wang and H. M. Weng and G. Wang},
journal= {arXiv preprint arXiv:2201.05833},
year = {2022}
}
备注
16 pages, 9 figures