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实数序列小间隙的度论理论

材料科学 2026-03-13 v1

摘要

(an)n1(a_n)_{n \geq 1} 为一个由互不相同的正整数组成的序列。Rudnick 启动了关于序列 {αan mod 1,1nN}\{\alpha a_n \text{ mod }1, 1\leq n \leq N\} 作为 NN \to \infty 时最小间隙的度论理论,他证明了最小间隙可表达为 {a1,,aN}\{a_1,\ldots,a_N\} 的加法能量的渐近上界。后来,Aistleitner、El-Baz 和 Munsch 证明,此类序列的最小间隙度论理论并非由加法能量决定,而是由 {a1,,aN}\{a_1,\ldots,a_N\} 的差集基数决定。他们建立了一个针对最小间隙典型渐近阶数的尖锐收敛测试,并证明了一系列易于应用的通用上界和下界。其证明的关键要素依赖于 Koukoulopoulos 和 Maynard 对 Duffin--Schaeffer 猜想的解决。在本文中,我们将 Aistleitner、El-Baz 和 Munsch 关于整数序列的结果推广到实数序列。尽管 δminα(N)\delta_{\min}^{\alpha}(N) 的上界尚未寻得,但我们获得了其取整后值 δminα(N)\lfloor \delta^{\alpha}_{\min} \rfloor (N) 对于实数序列 (an)n1(a_n)_{n \geq 1} 的上界。我们的定理恢复了 Aistleitner、El-Baz 和 Munsch 文章中的定理 1-3,以及该文第 4.3 节的结果。此外,我们对 well-spaced 序列的最小间隙以及更广泛的一族包含其的序列的下界进行了推导。

关键词

引用

@article{arxiv.2511.16646,
  title  = {Revealing Phonon Bridge Effect for Amorphous vs Crystalline Metal-Silicide Layers at Si/Ti Interfaces by a Machine Learning Potential},
  author = {Mayur Singh and Lokanath Patra and Chengyang Zhang and Greg MacDougall and Suman Datta and David Cahill and Satish Kumar},
  journal= {arXiv preprint arXiv:2511.16646},
  year   = {2026}
}