半导体障壁结构中的共振热输运
介观与纳米尺度物理
2009-11-10 v1 材料科学
摘要
我报告称，热单障壁 (TSB) 和热双障壁 (TDB) 结构（例如通过在硅中插入几层 Ge 单层形成）既可抑制声子输运，又可产生共振热输运效应。我表明，高频声子在 TDB 结构中可经历传统的双障壁共振隧穿，而低频声子在 TSB 和 TDB 结构中形成 Fabry-Perot 共振，导致温度变化的量子振荡热导率 和 。
关键词
引用
@article{arxiv.cond-mat/0401315,
title = {Resonant thermal transport in semiconductor barrier structures},
author = {P. Hyldgaard},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0401315},
year = {2009}
}
备注
4 pages. 4 figure.s