半导体中的共振调制不稳定性和自诱导透射效应：Maxwell-Bloch 形式
材料科学
2012-02-07 v2 光学
摘要
本文采用基于微观半导体 Bloch 方程的宏观 J 模型 [Th. Oestreich and A. Knorr, Phys. Rev. B 48, 17811 (1993); ibid. 50, 5717 (1994)]，从理论上研究半导体在激子共振附近的非线性光学性质。这些非线性性质导致长光脉冲的调制不稳定性具有较大增益，并引起半导体中短光脉冲的自诱导透射。通过对后一种已被充分研究效应的实例分析，验证了所采用宏观模型的有效性，并发现其与现有理论和实验结果均吻合良好。
引用
@article{arxiv.1110.5629,
title = {Resonant modulational instability and self-induced transmission effects in semiconductors: Maxwell-Bloch formalism},
author = {Oleksii A. Smyrnov and Fabio Biancalana},
journal= {arXiv preprint arXiv:1110.5629},
year = {2012}
}
备注
6 pages (two-column), 4 figures