氢暴露导致双层石墨烯上的排斥性范德华力
材料科学
2012-01-26 v1 量子物理
摘要
我们考虑了原子氢暴露对生长在二氧化硅表面附近的双层未掺杂石墨烯系统（第一层吸附在表面上，第二层在表面附近自由悬浮）的影响。在没有原子氢的情况下，石墨烯层间的范德华力在所有间距下都是吸引的，导致层间相互靠近。然而，当层间加入原子氢时，长程范德华相互作用在临界浓度下变为排斥。底层三层结构（SiO2-原子氢气体-空气）产生了长程排斥力，在足够大的间距下，这种排斥力主导了二维未掺杂石墨烯层之间（以及外层石墨烯与SiO2之间）衰减更快的吸引力。这可能是通过气体浓度调节两个石墨烯层间距的一种途径。对石墨烯层的掺杂会增加相互作用的吸引部分，从而减少净排斥相互作用。
引用
@article{arxiv.1201.1132,
title = {Repulsive van der Waals forces due to hydrogen exposure on bilayer Graphene},
author = {Mathias Boström and Bo E. Sernelius},
journal= {arXiv preprint arXiv:1201.1132},
year = {2012}
}