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包含等离子体屏蔽效应的 H 等电子序列的相对论光电离

原子物理 2020-01-06 v4 等离子体物理

摘要

借助德拜-休克尔模型的等离子体屏蔽效应,我们研究了 H 等电子序列中 H、Nb40+^{40+} 和 Pb81+^{81+} 等离子体的相对论光电离过程。电子所经历的汤川型屏蔽核势由德拜长度 DD 参数化。为了非微扰地考虑相对论效应,我们求解束缚态与连续态波函数的狄拉克方程。多极场的贡献针对高入射光子能量进行计算,而光电子的角分布与自旋极化参数在电偶极近似下给出。我们的 H 等离子体光电离截面结果与其他可用的理论计算一致。我们还研究了相对论效应与等离子体屏蔽效应对光电离参数的相互作用。\keywords{光电离, 多极效应, 德拜等离子体, 氢原子, 类氢离子

关键词

引用

@article{arxiv.1805.05992,
  title  = {Relativistic photoionization of H isoelectronic series including plasma shielding effects},
  author = {Xugen Zheng and Hsin-Chang Chi and Shin-Ted Lin and Gang Jiang and Chenkai Qiao and Keh-Ning Huang},
  journal= {arXiv preprint arXiv:1805.05992},
  year   = {2020}
}

备注

11 pages, 11 figures; V2: corrections for author information; V3: major revision; V4: published version