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CrX$_3$(X=Cl, Br, I)单层中的相对论交换相互作用

材料科学 2020-10-07 v2 强关联电子

摘要

理论上预测且实验间接证实,单层 CrX3_3(X=Cl, Br, I)可能是拓扑磁绝缘体(TMI)的原型。本工作中,我们通过结合第一性原理计算与原子自旋动力学,给出了 CrX3_3 中磁相互作用与磁激发的完整图像。此处聚焦于实现 TMI 的两个最重要方面,即相对论磁相互作用与有限尺寸(边缘)效应。我们计算了完整的相互作用张量,其中包含被认为是最可能稳定拓扑磁子的 Kitaev 与 Dzyaloshinskii-Moriya 项。首先,我们探究块体 CrI3_3 的性质,并将模拟的磁子谱与实验数据 [Phys. Rev. X 8, 041028 (2018)] 比较。我们的结果表明,实验中观测到的大拓扑能隙(≈ 4 meV)无法仅由成对自旋相互作用解释。我们指出了若干可能导致此分歧的原因,并认为该类材料中应存在显著的磁弹性耦合。我们也研究了 CrX3_3 单层中的磁相互作用。各向异性相互作用的强度随卤素原子在周期表中位置变化,元素越重各向异性越大。比较块体与单层 CrI3_3 的磁子,我们发现后者拓扑能隙更小。最后,我们研究单层中的有限尺寸效应,并证明边缘附近 Cr 原子间的各向异性耦合远强于理想周期结构中的耦合。这应会影响该类材料中磁子边缘模式的动力学。

关键词

引用

@article{arxiv.2007.07611,
  title  = {Relativistic exchange interactions in CrX$_3$ (X=Cl, Br, I) monolayers},
  author = {Y. O. Kvashnin and A. Bergman and A. I. Lichtenstein and M. I. Katsnelson},
  journal= {arXiv preprint arXiv:2007.07611},
  year   = {2020}
}

备注

11 pages, 9 figures