通过原位分子嵌入增强2H-TaS2器件的超导性
计算与语言
2026-01-16 v2
摘要
将客体物种嵌入石墨层材料的间隙中常会导致出现令人兴趣的现象,如超导性。虽然已在多种bulk晶体中报告了嵌入诱导的超导性,但实现薄片的零电阻状态仍具挑战性。本文展示了一种简单方法,通过原位嵌入来增强与金属电极接触的数十纳米厚2H-TaS2晶体的超导转变。我们的方法使能够测量同一片薄片在嵌入前后的电气特征,从而精确识别客体物种对TaS2传输性质的影响。我们发现,将肥胖胶分子嵌入TaS2薄片会抑制电荷密度波,并使超导转变温度升高, onset温度超过3 K。此外,我们表明通过工程化化学嵌入条件,可在薄片中实现完全的零电阻状态。我们的发现为将化学调控的嵌入化合物集成到可扩展的量子技术铺垫了道路。
引用
@article{arxiv.2510.24626,
title = {Relative Scaling Laws for LLMs},
author = {William Held and David Hall and Percy Liang and Diyi Yang},
journal= {arXiv preprint arXiv:2510.24626},
year = {2026}
}