相变材料中电阻漂移与光学带隙的关系
材料科学
2020-09-07 v1 应用物理
摘要
相变材料中的光学对比度与其结构转变同时发生。我们通过首先认识到Friedel振荡耦合了反向传播的电子并提供了额外的库仑能来将这两者联系起来。随着晶体发生相变，该能量获得时间依赖性，Landau-Zener机制起作用，引导布居从价带向导带转移及反向转移。光谱学表明振子能量主导光学性质，而涉及晶体场和自旋轨道相互作用的计算对两种结构相都给出了良好的估计。进一步的分析将光学带隙与晶体场能量以及电导的激活能联系起来。最后一种性质表征了非晶相，从而提供了晶体场与激活能之间并最终与电阻漂移指数之间的关联。提供量化PCM中电阻漂移的光学手段可避免制造昂贵器件和进行耗时测量的需要。
引用
@article{arxiv.2009.02048,
title = {Relation between resistance drift and optical gap in phase change materials},
author = {J C Martinez and R E Simpson},
journal= {arXiv preprint arXiv:2009.02048},
year = {2020}
}
备注
12 page, 3 Figures, 2 Tables