ThCr₂Si₂型结构TlFe₂₋ₓSe₂中的重入自旋玻璃行为
强关联电子
2010-12-15 v1
摘要
我们研究了TlFe₂₋ₓSe₂单晶的物理性质。TlFe₂₋ₓSe₂的电阻率表现出典型的半导体行为，激活能为25 meV。直流磁化率表明在约450 K处存在反铁磁转变。通过直流和交流磁性测量，在约130 K处发现了重入自旋玻璃行为。重入自旋玻璃行为表明，由于铁缺陷，铁磁和反铁磁相互作用之间存在强烈竞争。该材料中可能存在强电子-电子关联，并且它可能是高温超导体母体化合物的候选材料。
引用
@article{arxiv.1012.2929,
title = {Reentrant spin-glass behavior in $TlFe_{2-x}Se_2$ with the $ThCr_2Si_2$-type structure},
author = {J. J. Ying and A. F. Wang and Z. J. Xiang and X. G. Luo and R. H. Liu and X. F. Wang and Y. J. Yan and M. Zhang and G. J. Ye and P. Cheng and X. H. Chen},
journal= {arXiv preprint arXiv:1012.2929},
year = {2010}
}
备注
5 pages, 6 figures, submitted to PRB on 12 Nov 2010