双层石墨烯中的重返分数量子霍尔态：可控的驱动相变
材料科学
2010-03-02 v1 介观与纳米尺度物理
摘要
在此我们报告理论研究表明，在偏置双层石墨烯中，通过调节给定电子密度下的带隙，可以诱导从不可压缩态到可压缩态的相变。同样，在固定带隙下改变密度会导致从较低朗道能级的分数量子霍尔效应态到中间朗道能级的可压缩态，最终到较高朗道能级的分数量子霍尔效应态的转变。这种分数量子霍尔态中可调相变的有趣情景是双层石墨烯所独有的，在传统半导体系统中从未出现过。
引用
@article{arxiv.1003.0378,
title = {Reentrant fractional quantum Hall states in bilayer graphene: Controllable, driven phase transitions},
author = {Vadim M. Apalkov and Tapash Chakraborty},
journal= {arXiv preprint arXiv:1003.0378},
year = {2010}
}
备注
4 pages, 3 figures