外磁场下降低有机发光二极管在高电流下的效率滚降

单重态-极化子与三重态-极化子湮灭机制是最具破坏性的激子猝灭过程，它们降低了有机发光二极管（OLEDs）在高电流密度下的效率，导致这些器件中所谓的效率滚降。这些激子损失机制也是实现电泵浦有机半导体激光器的关键障碍，因为后者需要极高的电流密度才能达到阈值。本文中，在相对较大的外磁场下，我们证明了基于铕（Eu3+）的溶液加工OLEDs在高电流密度下的效率滚降可在一定程度上被抑制，同时亮度得到增强。我们通过减少福斯特型激子-极化子湮灭过程实现了这一点。在施加的磁场下，我们表明对极化子自旋与激子动力学的调控导致了定量化的滚降抑制。