两平板导体间空间中轴子产生的辐射

我们展示了在强磁场 $B$ 下由暗物质轴子 $a(t)$ 产生辐射的一种新机制。轴子在导体表面产生振荡电流。该电流相比真空电流 $J_a\equiv g_{a\gamma\gamma}\partial_t a(t)B$ 被极大增强，如 $J_c=(m_a\delta_e)^{-2}J_a$；其中 $\delta_e$ 为趋肤深度，轴子质量为 $m_a$。我们已表明圆柱状超（常）导体发射的辐射足够强，可被轻易探测。于是我们直观预期此类强辐射也会出现在谐振腔实验中。但我们证明该预期是错误的。即便考虑腔体导体中增强的电流，腔内产生的辐射仍只是标准估算所给者。这是因为腔内辐射为驻波，而圆柱导体发射的辐射为出射波。为简洁起见，我们考虑两平行平板导体间空间中出现的辐射。