再电离时期辐射诱导的大尺度结构：自相关函数

再电离时期由辐射作用于中性氢所产生的结构，原则上不同于由初始微小扰动的引力增长所产生的结构。我们利用高分辨率宇宙学辐射转移探讨了这两种机制之间的差异。我们的计算使用了一种蒙特卡洛代码，该代码直接穿过 SPH 核进行光线追踪而无需网格，从而保留了底层流体动力学模拟的高空间分辨率。由于第一批辐射源的性质尚不确定，我们模拟了具有不同源属性和复合物理的一系列模型。我们考察了这些模型中中性氢分布的形态和再电离历史。我们发现，在固定的平均中性分数下，结构在视觉上受源光度下限存在的影响最大，其次是星系质光比，而受复合速率和质量涨落幅度变化的影响最小。我们专注于中性氢的自相关函数 xi_HI(r)，将其作为辐射诱导结构 (RIS) 的基本定量度量。我们测试的所有模型都表现出一种特征行为：xi_HI(r) 最初相对于物质相关函数呈线性反偏置，当宇宙电离度约为 10-20% 时，达到最小偏置因子 b~0.5。此后，xi_HI(r) 的振幅迅速增加，超过物质相关函数。它保持幂律形状，但显著变平，达到渐近对数斜率 gamma ~-0.5。在短暂的红色移区间 Deltaz ~ 2-3 内，HI 涨落的增长率比引力增长快指数倍。