利用 Faddeev 随机相位近似研究氖中的准粒子
化学物理
2009-11-13 v2 核理论
摘要
通过一组 Faddeev 方程展开电子自能，计算了闭壳层氖原子的谱函数。该方法描述了单粒子自由度与关联的双电子、双空穴及电子 - 空穴对之间的耦合。激发谱是利用随机相位近似（Random Phase Approximation）获得的，而非三阶代数图解构造 [ADC(3)] 方法中采用的 Tamm-Dancoff 框架。本文研究了这两种方法之间的差异，以及自能中梯型图和环型图之间的相互作用。利用 Faddeev-RPA 方案获得了令人满意的电离能和基态能量结果，该方案也适用于高密度电子气。
引用
@article{arxiv.0704.1542,
title = {Quasiparticles in Neon using the Faddeev Random Phase Approximation},
author = {C. Barbieri and D. Van Neck and W. H. Dickhoff},
journal= {arXiv preprint arXiv:0704.1542},
year = {2009}
}
评论
Revised manuscript. The working equations of the Faddeev-RPA method are included in the Appendix