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四方晶系CeAg₂Ge₂单晶中的准四重态晶场基态

强关联电子 2009-11-13 v1

摘要

我们首次通过助熔剂法成功生长了CeAg₂Ge₂单晶,并通过测量电阻率、磁化率和比热研究了其各向异性物理性质。我们发现CeAg₂Ge₂在TNT_{\rm N} = 4.6 K处发生反铁磁相变。电阻率和磁化率数据揭示了强烈的各向异性磁性质。在TT = 2 K下测量的磁化强度在HH \parallel [100]方向表现出两个变磁转变,分别位于Hm1H_{\rm m1} = 31 kOe和Hm2H_{\rm m2} = 44.7 kOe,饱和磁化强度为1.6 μB\mu_{\rm B}/Ce。对逆磁化率的晶场(CEF)分析表明,CeAg₂Ge₂的基态和第一激发态能级间距很小,表明存在准四重态基态。比热数据进一步支持了紧密间隔能级的存在。

关键词

引用

@article{arxiv.0704.0119,
  title  = {Quasi-quartet crystal electric field ground state in a tetragonal CeAg$_2$Ge$_2$ single crystal},
  author = {A. Thamizhavel and R. Kulkarni and S. K. Dhar},
  journal= {arXiv preprint arXiv:0704.0119},
  year   = {2009}
}

备注

2 pages, 2 figures, Submitted to the proceedings of SCES-07, Houston