集成二维磁性半导体的量子隧穿器件
材料科学
2019-07-17 v1
摘要
过去几年中，二维（2D）材料的研究经历了快速增长。特别是，各种表现出量子现象（如超导性和磁性）的层状化合物已被分离为原子级薄层形式，尽管它们常具有化学不稳定性。二维相的性质可能不同于其块体对应物，使得此类系统对基础研究具有吸引力。由于其高结晶度和无悬键，包含这些材料的器件和异质结构也可能表现出优于传统薄膜的性能。在这篇路线图文章中，我们聚焦于利用二维磁性半导体 CrI 的自旋基量子器件的一些最新进展。
引用
@article{arxiv.1907.07087,
title = {Quantum tunneling devices incorporating two-dimensional magnetic semiconductors},
author = {Hyun Ho Kim and Adam W. Tsen},
journal= {arXiv preprint arXiv:1907.07087},
year = {2019}
}
备注
Invited Review Article for Nanotechnology Roadmap on Quantum Technology