拓扑半金属候选材料ZrGeM (M=S, Se, Te)的量子振荡研究
材料科学
2017-05-31 v2
摘要
WHM型材料(W=Zr/Hf/La, H=Si/Ge/Sn/Sb, M=O/S/Se/Te)已被预测为拓扑材料的一个大池。这些材料允许通过W、H和M元素的不同组合来精细调节自旋轨道耦合、晶格常数和结构维度，从而提供一个优异平台来研究这些参数的调节如何影响拓扑半金属态。本工作中，我们报道了关于ZrGeM (M=S、Se和Te)的高场量子振荡研究。我们发现了它们理论预测的拓扑半金属态的首个实验证据。从量子振荡频率的角依赖性，我们也研究了这些材料的费米面拓扑。此外，我们比较了ZrGeM与ZrSiM体系间的狄拉克电子行为，这揭示了WHM体系中通过自旋轨道耦合和晶格常数调谐狄拉克态的深刻见解。
引用
@article{arxiv.1702.02292,
title = {Quantum oscillation studies of topological semimetal candidate ZrGeM (M=S, Se, Te)},
author = {J. Hu and Y. L. Zhu and D. Graf and Z. J. Tang and J. Y. Liu and Z. Q. Mao},
journal= {arXiv preprint arXiv:1702.02292},
year = {2017}
}