基于分级III-V氮化物半导体的极化bulk掺杂实现宽电子薄片
强关联电子
2007-05-23 v2
摘要
本文提出了概念并实现了III-V氮化物半导体中的极化诱导bulk电子掺杂技术。通过利用III-V氮化物中的大型极化电荷，我们能够在不引入浅层杂质的情况下创建高密度可移动电子的宽薄片。输输测量表明，极化掺杂的电子分布优于相当于浅层杂质掺杂的结构。该技术可轻易应用于制造许多器件结构中的高导电层。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0204486,
title = {Quantum Monte Carlo methods for the solution of the Schroedinger equation for molecular systems},
author = {Alán Aspuru-Guzik and William A. Lester},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0204486},
year = {2007}
}
备注
54 pages Recently corrected a sign typo