含二能级原子的单片光子带隙腔中用于 Q 开关的量子门
量子物理
2007-05-23 v1
摘要
光子带隙腔是研究强耦合 regime 中光-物质相互作用的主要固态系统。然而，由于腔由周期介电图案的几何结构定义，单片结构中的腔控制可能存在问题。因此，要么态相干性受读出通道限制，要么在高 Q 腔中其几乎与外界退耦合，使得态的测量极具挑战性。我们在此提出一种利用耦合腔排布来改善这些困难的方法，其中一个腔作为另一个腔的开关，通过控制原子跃迁调谐。
引用
@article{arxiv.quant-ph/0511107,
title = {Quantum gate for Q switching in monolithic photonic bandgap cavities containing two-level atoms},
author = {Andrew D. Greentree and J. Salzman and Steven Prawer and Lloyd C. L. Hollenberg},
journal= {arXiv preprint arXiv:quant-ph/0511107},
year = {2007}
}
备注
6 pages, 5 figures, 1 table