量子钻石显微镜用于集成扇出封装-on-封装iPhone芯片的非破坏性失效分析
量子物理
2025-12-09 v1
摘要
先进半导体封装日益复杂，受芯片单元架构和2.5D/3D集成的推动，对传统失效定位方法（如锁相热成像）提出了挑战，并使当前的失效分析工作流程变得复杂。密集的重分布层和埋藏互连限制了已建立技术非破坏性地理解失效机制的能力。在本工作中，我们验证了基于金刚石中氮空位（NV）中心的量子钻石显微镜（QDM）作为一种通过磁电流路径成像在封装级别进行非破坏性定位的方法。使用来自iPhone的商业集成扇出封装-on-封装（InFO-PoP）设备，我们展示了一个完整的失效分析工作流程，其中包括QDM，用于定位封装背面的集成无源器件（IPD）中的短路型失效。我们展示了QDM结果在传统技术之上提供了宝贵的信息，可以显著增强封装级失效分析工作流程中的根因识别。本工作展示了QDM在半导体芯片和封装分析工作流程中更广泛集成的潜力。
引用
@article{arxiv.2512.07619,
title = {Quantum Diamond Microscopy for Non-Destructive Failure Analysis of an Integrated Fan-Out Package-on-Package iPhone Chip},
author = {Bartu Bisgin and Marwa Garsi and Andreas Welscher and Michael Hanke and Fleming Bruckmaier},
journal= {arXiv preprint arXiv:2512.07619},
year = {2025}
}
备注
12 pages, 5 figures