近藤晶格材料中的量子临界标度与涨落
强关联电子
2017-06-29 v2
摘要
我们为三类近藤晶格材料提出了一种新的唯象框架，该框架整合了与反铁磁量子临界点相关的涨落和由标志着局域磁矩行为终结的杂化量子临界点所产生的涨落之间的相互作用。我们表明，这些涨落产生了两个不同的量子临界标度区域：杂化涨落导致了在相干温度 T* 以下出现的重电子近藤液体态密度中的对数标度；而在更低温度 T_QC 以下出现的电阻率中非常规的幂律标度，可能反映了杂化和反铁磁量子临界涨落的共同效应。我们的框架得到了 CeCoIn5、CeRhIn5 及其他重电子材料实验测量的支持。
引用
@article{arxiv.1702.08132,
title = {Quantum critical scaling and fluctuations in Kondo lattice materials},
author = {Yi-feng Yang and David Pines and Gilbert Lonzarich},
journal= {arXiv preprint arXiv:1702.08132},
year = {2017}
}
备注
12 pages, 4 figures