带电金属-溶液界面欠电位沉积的量子-连续介质模拟
材料科学
2017-01-10 v1
摘要
过渡金属离子的欠电位沉积是许多电合成方法中的关键步骤。尽管欠电位沉积已在原子层面被深入研究，真空中的第一性原理计算会严重低估欠电位沉积金属的稳定性。最近研究表明，考虑共吸附阴离子可提供更可靠的欠电位沉积反应描述；然而，其他关键环境因素如外加电压下界面的带电化以及溶液中离子的活度的影响尚待研究。本工作中，利用电化学界面的量子-连续介质模型，在真实电化学条件下研究了铜在金上的欠电位沉积。我们在此报告了表面带电化、浓度效应和阴离子共吸附对金(100)表面上铜欠电位沉积层稳定性的影响。
引用
@article{arxiv.1701.01738,
title = {Quantum-continuum simulation of underpotential deposition at electrified metal-solution interfaces},
author = {Stephen E. Weitzner and Ismaila Dabo},
journal= {arXiv preprint arXiv:1701.01738},
year = {2017}
}
备注
Accepted for publication in npj Computational Materials