在LHC上测量CKM矩阵元$|V_{ts}|$的前景
高能物理 - 唯象学
2014-11-21 v3 高能物理 - 实验
摘要
我们研究了在LHC上通过过程和产生的顶夸克及其后续衰变和来测量CKM矩阵元的前景。我们坚持对进行轻子标记, (),并分析了信号过程和主要本底衰变中预期的喷注轮廓。为此,我们分析了夸克和夸克喷注中的 (和)分布,重点关注这些粒子的能量和横动量分布。来自分支的由于弱衰变而具有从相互作用点偏移的衰变顶点,并且夸克喷注富含带电轻子。因此,喷注中次级顶点和高能带电轻子的缺失为顶夸克衰变提供了额外的(喷注 vs. 喷注)区分能力。这些分布被用于训练提升决策树(BDT)。使用BDT分类器及其变体BDTD(利用去相关变量),我们计算了对应于信号()和本底()的BDT(D)响应函数。我们使用蒙特卡洛生成器PYTHIA进行的详细模拟,用于估计在三个代表性LHC能量 TeV、10 TeV和14 TeV下的本底抑制与信号效率。我们认为,在LHC@14 TeV且积分亮度为10 fb的条件下,可以实现10%的信号()效率和因子的本底()抑制(由于预期的比值所需)。
引用
@article{arxiv.1005.4647,
title = {Prospects of measuring the CKM matrix element $|V_{ts}|$ at the LHC},
author = {Ahmed Ali and Fernando Barreiro and Theodota Lagouri},
journal= {arXiv preprint arXiv:1005.4647},
year = {2014}
}
备注
17 pages, 6 figures, 2 tables, improved the text and the quality of figures; added two references; version to appear in Physics Letters B