通过微转移印刷实现硅光子集成的厘米级薄膜锂 niobate
计算机视觉与模式识别
2024-12-20 v1 计算与语言
多媒体
摘要
集成光子 CMOS 兼容的硅氮化物 (SiN) 平台因其低传递损耗而受到赞赏，但受限于缺乏主动功能，如强 Pockels 系数和固有 \c{hi}(2) 非线性。本文展示了如何使用微转移印刷 (uTP) 方法将厘米长的薄膜锂 niobate (TFLN) 器件集成到 SiN 平台上。在 1550 nm 波长处，测得的传递损耗约为 0.9 dB/cm，端口间传递损耗为 1.8 dB。此外，将 TFLN 集成到不平衡推拉 Mach-Zehnder 调制器中，实现了 V{\pi} 为 3.2 V。通过测量至 35 GHz 的器件，确认了所观察调制的电光特性，表明印刷并未影响高速 LN 属性。
引用
@article{arxiv.2412.15156,
title = {Prompt-A-Video: Prompt Your Video Diffusion Model via Preference-Aligned LLM},
author = {Yatai Ji and Jiacheng Zhang and Jie Wu and Shilong Zhang and Shoufa Chen and Chongjian GE and Peize Sun and Weifeng Chen and Wenqi Shao and Xuefeng Xiao and Weilin Huang and Ping Luo},
journal= {arXiv preprint arXiv:2412.15156},
year = {2024}
}