通过双光子级联衰变制备振转电子基态 RbCs 分子

我们报道了通过短程光缔合至 $2^3\Pi_{0}$ 态随后发生自发辐射，制备处于振转电子基态（即 $X^1\Sigma^+ (v=0, J=0)$）的超冷 RbCs 分子。我们使用窄带耗尽光谱来探测在 $X ^1\Sigma^+(v=0)$ 态中形成的转动能级分布。基于选择定则，我们得出结论：通往 $X ^1\Sigma^+(v=0)$ 的主要衰变路径是一个两步级联衰变，其导致高达 $33\%$ 的分支比进入 $J=0$ 转动能级。我们方案的实验简单性为更容易地研究和操纵处于振转电子基态的超冷异核分子开辟了可能性。