利用超导集总元件谐振器探测SiO薄膜中的TLS态密度
超导电性
2014-07-04 v1
摘要
我们研究了非晶SiO薄膜在超导量子比特工作条件（毫开尔文温度和低微波功率）下的介电损耗。为此，我们开发了一种宽带测量装置，采用多路复用集总元件谐振器，结合宽带功率合成器和低噪声放大器。测得的介电损耗的温度和功率依赖性与原子两级隧道系统(TLS)的预测吻合良好。通过在不同频率下测量损耗，我们发现TLS态密度与能量相关。这在之前的损耗测量中未曾观察到。这些结果有助于更好地理解超导量子比特中的退相干效应，并提示通过降低量子比特工作频率来最小化TLS相关退相干的可能性。
引用
@article{arxiv.1407.0985,
title = {Probing the TLS Density of States in SiO Films using Superconducting Lumped Element Resonators},
author = {S. T. Skacel and Ch. Kaiser and S. Wuensch and H. Rotzinger and A. Lukashenko and M. Jerger and G. Weiss and M. Siegel and A. V. Ustinov},
journal= {arXiv preprint arXiv:1407.0985},
year = {2014}
}
备注
4 pages, 6 figures