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层状类金属二硫属化物 1T-SiTe$_2$ 中压力诱导的结构相变、金属化和超导电性

超导电性 2026-07-08 v1
作者: Ying-Jie Zhang , Heng Xu , Zhe-Ning Xiang , Zong-Hui Wu , Qing Li , Hai-Hu Wen
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摘要

层状过渡金属二硫属化物（TMD）作为探索涌现物理和潜在器件应用的有前景平台而备受关注。相比之下，基于类金属的二硫属化物对应物在很大程度上仍未得到充分探索。在此，我们报告了层状类金属二硫属化物 1T-SiTe2_2 中压力诱导的结构相变、金属化和超导电性。在环境压力下，1T-SiTe2_2 结晶为三角晶体结构（空间群：P3ˉm1P\bar{3}m1），并表现出本征半导体输运特性。加压后，伴随着电阻中半导体行为的抑制，超导电性在约 6.7 GPa 时出现。超导转变温度（Tc_c）随压力增加持续上升，最终在 30 GPa 以上时饱和在约 5.5 K。在压缩过程中，1T-SiTe2_2 经历了三次结构相变，相变压力与实验观察到的异常输运响应高度一致，表明 1T-SiTe2_2 在压力下输运行为的变化是由结构驱动的。我们的工作将 TMD 超导体扩展到类金属体系，并为探索不含过渡金属元素的准二维材料中的新奇物理提供了新平台。

关键词

结构相变 金属化 超导电性 1T-SiTe2 高压 层状二硫属化物

引用

@article{arxiv.2607.07569,
  title  = {Pressure-induced Structural Phase Transition, Metallization, and Superconductivity in layered metalloid dichalcogenide 1T-SiTe$_2$},
  author = {Ying-Jie Zhang and Heng Xu and Zhe-Ning Xiang and Zong-Hui Wu and Qing Li and Hai-Hu Wen},
  journal= {arXiv preprint arXiv:2607.07569},
  year   = {2026}
}

备注

26 pages total; 21 pages of main text with 5 figures, 5 pages of SI with 7 figures