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CeCu₅Au 中压力诱导的剩余电阻率异常

强关联电子 2009-10-31 v1

摘要

磁有序 CeCu₅Au 的电阻率在高达 8.5 GPa 的压力下被研究。在磁有序区域(p<3.4 GPa),剩余电阻率 ρ₀ 随压力呈现显著极大值。即使在非磁区域,ρ₀ 也单调下降超过三倍。这两种效应可以从压力、磁性和无序在弱无序强关联电子系统中的相互作用角度得到定性解释。

关键词

引用

@article{arxiv.cond-mat/0007322,
  title  = {Pressure-induced residual resistivity anomaly in CeCu_5Au},
  author = {H. Wilhelm and S. Raymond and D. Jaccard and O. Stockert and H. v. Loehneysen and A. Rosch},
  journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0007322},
  year   = {2009}
}

备注

4 pages, 4 figures, revtex