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LaMnSi 中压力诱导的 PT 对称性破缺

强关联电子 2026-07-08 v1
作者: Takuya Aoyama , Hikaru Taneoka , Takemi Yamada , Hiroshi Tanida , Kenya Ohgushi
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摘要

我们研究了反铁磁金属 LaMnSi 的磁输运性质，其中共线磁序同时破缺空间反演（P）和时间反演（T）对称性，但保持其组合 PT 对称性。发现高压抑制了这种 PT 对称的反铁磁相，诱导转变为以大的反常霍尔效应为特征的 PT 破缺态。基于对称性分析，我们为高压相提出了一种候选磁结构。对该结构的后续能带计算揭示了能带分裂和轨道依赖的自旋极化的出现。我们的结果确立了 LaMnSi 作为通过外部参数控制 PT 对称性破缺的理想平台。

关键词

PT对称性破缺 反铁磁金属 LaMnSi 反常霍尔效应 高压 磁输运 能带结构

引用

@article{arxiv.2607.07310,
  title  = {Pressure-induced PT Symmetry Breaking in LaMnSi},
  author = {Takuya Aoyama and Hikaru Taneoka and Takemi Yamada and Hiroshi Tanida and Kenya Ohgushi},
  journal= {arXiv preprint arXiv:2607.07310},
  year   = {2026}
}