MgO 同质多象变体随压力变化的电子性质：康普顿剖面与自相关函数的第一性原理研究
材料科学
2012-07-24 v1
摘要
我们在密度泛函理论框架下，应用 CRYSTAL06 代码中实现的第一性原理周期性原子轨道线性组合法，探讨了压力对 MgO 康普顿剖面和自相关函数的影响。计算针对 MgO 的 B1、B2、B3、B4、B8_1 和 h-MgO 同质多象变体进行，以计算晶格常数和体模量。等温焓计算预测，B4 到 B8_1、h-MgO 到 B8_1、B3 到 B2、B4 到 B2 以及 h-MgO 到 B2 的相变分别发生在 2、9、37、42 和 64 GPa。高压相变 B8_1 到 B2 和 B1 到 B2 分别被发现发生在 340 和 410 GPa。在所有 MgO 同质多象变体中，观察到的压力依赖性变化主要出现在价电子康普顿剖面中，而芯电子剖面几乎与压力无关。压力增加导致价康普顿剖面展宽。康普顿剖面二阶导数中的主极大值在所有结构中均向高动量侧移动。在 B1 到 B2 结构相变前后的一阶和二阶导数中，观察到了动量密度的重组。自相关函数的特征随压力增加向较小的 r 侧移动。
引用
@article{arxiv.1204.6686,
title = {Pressure dependent electronic properties of MgO polymorphs: A first-principles study of Compton profiles and autocorrelation functions},
author = {K. B. Joshi and B. K. Sharma and U. Paliwal and B. Barbiellini},
journal= {arXiv preprint arXiv:1204.6686},
year = {2012}
}
备注
19 pages, 8 figures, accepted for publication in Journal of Materials Science