择优成键与间隙/空位湮灭速率驱动镓离子溅射化合物材料中的原子团簇化
材料科学
2023-05-24 v1
摘要
离子辐照过程中化学反应的研究是离子-材料相互作用研究的前沿。为推导成键对离子产生纳米团簇化学的贡献，利用价电子能量损失谱（VEELS）研究 Ga 离子在 AlO、InP 和 InGaAs 中的损伤，其中每种靶材均显示出不同的改变反冲原子团簇化的过程：分别为 AlO 中的金属 Ga、InP 中的金属 In 以及 InGaAs 中的 InGaP 团簇。基于蒙特卡洛与晶体轨道哈密顿量的支持性模拟表明，级联诱导纳米析出物的化学构成是间隙/空位消耗速率与择优成键之间竞争的结果。
引用
@article{arxiv.2305.13746,
title = {Preferential bond formation and interstitial/vacancy annihilation rate drive atomic clustering in gallium ion sputtered compound materials},
author = {Zhenyu Ma and Xin Zhang and Pu Liu and Yong Deng and Wenyu Hu and Longqing Chen and Jun Zhu and Sen Chen and Zhengshang Wang and Yuechun Shi and Jian Ma and Xiaoyi Wang and Yang Qiu and Kun Zhang and Xudong Cui and Thomas Walther},
journal= {arXiv preprint arXiv:2305.13746},
year = {2023}
}