预测NbIrTe$_4$单层中的双量子自旋霍尔绝缘体
强关联电子
2024-06-05 v1 介观与纳米尺度物理
摘要
双量子自旋霍尔绝缘体(QSHI)是二维材料TaIrTe中新发现的一种拓扑态，在电荷中性点同时表现出传统的带隙，以及在弱掺杂下由范霍夫奇点(VHS)诱导的关联带隙。受理论理解和实验测量最新进展的启发，我们通过第一性原理计算预测了NbIrTe4单层的对应材料中一种有前景的双QSHI。除了电荷中性点处众所周知的能带反转外，在化学势接近VHS时，CDW相变后发现了两个新的能带反转，一个直接带隙和一个间接带隙。VHS诱导的非平凡带隙约为10 meV，远大于TaIrTe中的带隙。此外，由于新产生的带隙主要由Nb的轨道主导，与TaIrTe相比，NbIrTe中的电子关联效应应相对更强。因此，NbIrTe单层中的双QSHI态有望成为研究拓扑与关联效应相互作用的良好平台。
引用
@article{arxiv.2406.00979,
title = {Prediction of dual quantum spin Hall insulator in NbIrTe$_4$ monolayer},
author = {Xiangyang Liu and Junwen Lai and Jie Zhan and Tianye Yu and Wujun Shi and Peitao Liu and Xing-Qiu Chen and Yan Sun},
journal= {arXiv preprint arXiv:2406.00979},
year = {2024}
}