光子-光子对撞中带电希格斯玻色子对产生的精确预言

我们在双希格斯二重态模型（2HDM）框架下研究了通过光子-光子对撞产生带电希格斯玻色子对的过程，考虑了完整的单圈级散射振幅，即包括电弱（EW）修正以及软和硬QED辐射。数值评估针对三种不同场景进行，即所谓的非对齐、低$m_H$和短级联场景，这些场景的定义均考虑了最新的实验约束，并与理论约束保持一致。我们在平面（$m_{\phi^0},\sqrt{s}$）上扫描了$\gamma\gamma \rightarrow H^{-}H^{+}$的总截面，其中对于低$m_{H^0}$场景，$\phi^0$为$h^0$，对于其他两种场景，$\phi^0$为$H^0$。针对每种场景，我们标出了产生率足够大的参数空间区域。我们还讨论了初始束流不同极化对撞模式下的产生率。在高能下使用相反极化光子以及在低能下使用右旋极化光子，产生率最高可提升至两倍。此外，我们检查了每种场景下带电希格斯玻色子的衰变道。观察到单圈电弱修正，即虚修正加实辐射修正，降低了树图级截面，相对修正范围通常在$-10\%$到$-30\%$之间，具体取决于模型参数。