BiS2基层状超导体中结构对称性破缺驱动的可能配对机制切换
超导电性
2021-02-03 v2 强关联电子
摘要
研究超导转变温度（Tc）的同位素效应是检验电子-声子相互作用是否为配对机制关键要素的有用方法之一。层状 BiCh2 基（Ch：S、Se）超导体家族是非传统超导体的候选者，因为在 La(O,F)BiSSe 和 Bi4O4S3 中此前已观测到非传统同位素效应。本研究我们探究了高压相 (Sr,La)FBiS2 中 S 和 S 的同位素效应，该相具有单斜晶体结构且在高压下 Tc 较高达 10 K，并观测到常规型 Tc 同位素移动。单斜相 (Sr,La)FBiS2 中的常规型同位素效应不同于具有四方结构的 La(O,F)BiSSe 和 Bi4O4S3 中观测到的非传统同位素效应。所得结果表明，BiCh2 基超导体的配对机制可由压力效应诱导的超导层结构对称性改变而切换。
引用
@article{arxiv.2007.11130,
title = {Possible pairing mechanism switching driven by structural symmetry breaking in BiS2-based layered superconductors},
author = {Aichi Yamashita and Hidetomo Usui and Kazuhisa Hoshi and Yosuke Goto and Kazuhiko Kuroki and Yoshikazu Mizuguchi},
journal= {arXiv preprint arXiv:2007.11130},
year = {2021}
}
备注
18 pages, 3 figures, 1 table, supplementary file