来自两能级涨落子系综的正频与负频噪声

基于耗散两能级涨落子系综的 Bloch-Redfield 处理对电荷噪声的分析通常会导致涨落-耗散定理的破坏。标准马尔可夫近似（当应用于耦合到浴的两能级涨落子时）可被认定为此失效的主要根源。所得的退相干速率仅涉及涨落子频率处浴的响应，从而完全忽略频率展宽效应。克服此问题的一个系统且计算便捷的方法是采用旁观者量子比特方法：通过将辅助量子比特耦合到两能级涨落子系综，可获得与涨落-耗散定理完全一致的 $S({\omega})$ 的解析近似。我们讨论了所得噪声的特性，其在若干频率范围内表现出不同行为，包括 $1/f$ 到 $1/f^2$ 的跨接，且跨接频率具有 $T^3$ 温度依赖性。