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多孔半导体:生长与应用

材料科学 2022-08-30 v1

摘要

大孔、小孔、有序孔、随机孔,皆有其功能,且常如所见,在新材料中表现出起初未必可预测或显而易见的行为。我的研究之旅始于试图在近完美的 III-V 族晶体上制备极薄膜以调控(光)电子性质,而当约 21 年前本校首台 TEM 显示 InP 中显著的孔隙生长与结构时,InP 的电化学修饰便更为合理。在本文中,我将总结多孔材料与半导体研究的若干方面,从导致其他多孔半导体(如硅、GaN、ZnO 与氧化铟锡(ITO))研究的多孔 InP,到周期有序光子晶体多孔结构,以及某些被多孔结构促成或修改的光学、热学与电化学性质、光催化、电池相关研究。

关键词

引用

@article{arxiv.2208.13466,
  title  = {Porous Semiconductors: Growth and Applications},
  author = {Colm O'Dwyer},
  journal= {arXiv preprint arXiv:2208.13466},
  year   = {2022}
}

备注

22 pages, 14 figures