未分辨射电源的偏振特征

我们研究了法拉第旋转在射电频谱上的印记如何用于确定射电源的几何形状以及周围磁场的强度和结构。我们对位于源外的具有大尺度或小尺度磁场的法拉第屏，模拟了频率在200 MHz至10 GHz之间的斯托克斯Q和U频谱。这些源可以是均匀的或天空中的二维高斯分布，具有旋转量（RM）的横向线性梯度，或者是具有方位角磁场的圆柱体或球状体。在高频处，所有这些模型的频谱都可以用高斯源的频谱来近似；这与磁场是大尺度还是小尺度无关。偏振通量密度中的 sinc 频谱并不是同步辐射与法拉第旋转混合区域的独特特征。具有大场相干长度的湍流法拉第屏产生的频谱类似于部分覆盖模型的频谱。在低和中等频率下，如偏振矢量的随机游走模型所示，此类法拉第屏产生的偏振信号显著高于 Burn 的退偏振模型。我们计算了四个频率窗口的 RM 频谱。源在低频处强烈退偏振，但如果观测灵敏度足够，RM 可以被精确确定。最后，我们表明 RM 频谱可用于区分湍流前景模型与部分覆盖模型。