等离子体掺杂半导体纳米晶体：性质、制备、应用与展望
材料科学
2017-04-05 v1
摘要
简并掺杂半导体纳米晶体（NCs）因其在近红外（NIR）区域可调的局域表面等离子体共振（LSPRs）而近期引起了纳米晶体界的兴趣。此类材料中载流子密度高达10^21 cm^-3，导致掺杂能级简并并在近红外产生强烈的等离子体吸收。与贵金属相比，简并掺杂半导体NCs的载流子密度较低，使得LSPR可以在很宽的光谱范围内调谐，因为载流子密度的微小变化都会强烈影响LSPR的光谱位置。我们重点关注铜硫族化合物NCs和杂质掺杂金属氧化物NCs，作为贵金属的最广泛研究的替代品。我们揭示了空位掺杂铜硫族化合物NCs中LSPR调谐时的结构变化，并阐述了杂质掺杂金属氧化物NCs中LSPR改性的根本不同机制。我们通过强调各种不同的光学测量和光学建模方法，综述了等离子体简并掺杂NCs的特殊光学性质。这些发现被整合到一个详尽的章节中，该章节介绍了基于等离子体半导体NCs带来的特殊特性的新的激动人心的应用。
引用
@article{arxiv.1701.05972,
title = {Plasmonic Doped Semiconductor Nanocrystals: Properties, Fabrication, Applications and Perspectives},
author = {Ilka Kriegel and Francesco Scotognella and Liberato Manna},
journal= {arXiv preprint arXiv:1701.05972},
year = {2017}
}
备注
97 pages, 33 figures