通过聚合物模板硅双重反演制备光子超均匀网络

超均匀无序网络属于一类特殊的结构材料，据预测在相对适度的折射率对比度下具有部分和完全的光子带隙。然而，此类光子设计材料的实际实现具有挑战性，因为它需要在光学尺度上控制多步制造工艺。在此，我们报告了超均匀聚合物模板的直接激光写入，随后通过硅双重反演工艺，制备出由多晶硅构成的高质量网络结构。我们在短波红外区域观察到一个显著的带隙，中心波长约为 $\lambda_{\text{Gap}}\simeq$ 2.5 $\mu$m，这与数值模拟结果几乎定量一致。在实验中，种子图案的典型结构长度尺度可在 2 $\mu$m 至 1.54 $\mu$m 之间变化，导致带隙发生蓝移，同时硅体积填充分数增加。